| Das eBook Angewandte Mikroelektronik wurde von Hans Lohninger zur Unterstützung verschiedener Lehrveranstaltungen geschrieben. Weitere Informationen finden sie hier. |
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ISFETDer Strom zwischen Source und Drain eines Feldeffekt-Transistors hängt von der Spannung zwischen diesen Elektroden und dem Potential am Gate ab, das durch Ladungsträger auf der Oberfläche der Gate-Elektrode erzeugt wird. Es macht keinen Unterschied, ob dieses Potential elektrischer oder elektrochemischer Natur ist. Das Gate wird mit der interessierenden Lösung in Kontakt gebracht. Da das elektrochemische Potential proportional zum Logarithmus der Ionenkonzentration ist, fließt durch den Feldeffekttransistor ein Strom, der die Konzentration der Ionen in der Lösung widerspiegelt. Um die Selektivität eines ISFETs zu erhöhen, kann man das Gate mit einer Substanz überziehen, die die Adsorption bestimmter Teilchen begünstigt.
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Last Update: 2008-05-31